1.富士電機投資100億元！強化功率半導體產能
據報道，富士電機將在2024～2026年度的3年內向半導體領域投資2000億日元（約合人民幣100億元）規模。重點將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導體上，計劃在日本國內工廠新建碳化硅(SiC)功率半導體的生產線，提高產能。意在抓住不斷擴大的需求，帶動下一個增長。
據悉，與此前用作半導體材料的硅相比，碳化硅在高硬度和耐久性方面表現突出，能夠承受高電壓和高電流。
在截至2023年度的為期5年的現有中期經營計劃中，富士電機一直以每年400億日元的速度在半導體領域展開投資。從2024年度開始的3年新中期經營計劃將改為每年700億日元，加速投資。
具體來說，富士電機將在松本工廠(長野縣松本市)建設“光刻前工程”生產線。將在2027年度以后開始生產使用8英寸大型晶圓的碳化硅功率半導體。富士電機計劃從2024年度開始在津輕工廠(青森縣五所川原市)量產6英寸碳化硅功率半導體。通過進一步擴大晶圓尺寸，可用一塊晶圓切割的芯片數量將隨之增加，有望提高生產效率。
2.高塔半導體：重新提交在印度建廠方案
據報道，Tower Semiconductor 重新提交了在印度建立65納米和40納米芯片半導體制造工廠的提案。然而，據《經濟時報》(ET) 報道，此舉引發了其前合資伙伴 Next Orbit Ventures 的法律訴訟，該公司正在探索起訴 Tower Semiconductor 與其他合作伙伴提交新提案的選擇。
正如business-standard早些時候報道的那樣，由首席執行官 Russell C Ellwanger 領導的 Tower 管理團隊于 10 月底會見了四到五家印度公司以及信息技術和電子國務部長 Rajeev Chandrasekhar。
據ET報道，Tower Semiconductor 的最新提案可能涉及與包裝和標簽產品主要制造商 BC Jindal 集團建立合作伙伴關系。BC Jindal 集團已承認正在研究半導體提案，但沒有提供更多細節。這標志著Tower 半導體公司第二次嘗試在印度建立半導體芯片制造廠。
Tower Semiconductor 進軍印度市場的最初舉措是與國際半導體聯盟 (SIMC) Analog Fab Private 成立合資企業。然而，盡管擬議投資 30 億美元，但該合資企業仍面臨挑戰，并未取得進展。
當前的提議使與 Next Orbit Ventures 的關系變得緊張，后者聲稱盡管簽署了保密協議 (NDA) 并與 Tower 事先達成協議，但仍被排除在新的合作伙伴關系之外。
Next Orbit Ventures 正在尋求法律顧問并考慮對 Tower Semiconductor 采取法律行動。這場爭議圍繞著一項據稱的諒解展開，即如果 Tower 在印度設立晶圓廠，Next Orbit Ventures 將成為合作伙伴。法律討論涉及對新合作伙伴關系的潛在禁令以及基于 Next Orbit Ventures 為推進 Tower 在印度晶圓廠雄心的投資而提出的損害賠償索賠。
相關各方之間的法律討論正在進行中。不過，相關各方均未對此事發表任何官方評論。
Tower Semiconductor 之前計劃在班加羅爾建設價值 30 億美元的工廠。
去年，Tower Semiconductor 宣布計劃在卡納塔克邦班加羅爾建立一座耗資 30 億美元的工廠。該項目由以色列Tower Semiconductor 和印度Next Orbit Ventures 合資，代號為國際半導體聯盟（ISMC）。
ISMC 是印度政府為在該國建立半導體制造而提供的 100 億美元激勵計劃的三個申請人之一。ISMC 的班加羅爾工廠預計將創造 1500 個直接就業機會和 10,000 個間接就業機會，并為印度的硅制造奠定基礎。
然而，當英特爾宣布有興趣以 54 億美元收購 Tower Semiconductor 時，該計劃很快就遇到了阻礙。雙方均同意該交易，這導致 Tower 計劃的重點發生重大轉變，其中包括其印度制造工廠。
印度甚至在啟動之前就即將失去其主要半導體項目之一。但事情再次發生了轉變，英特爾以監管問題為由正式退出了這筆交易。因此，Tower 回到了原來的計劃，并尋求繼續其在印度的擴張計劃。
