該款車型被視為小米集團進入新能源汽車領域的重要戰略布局，標志著小米集團向自主品牌造車方向邁出了堅實的一步。
2023年12月，小米汽車舉行的技術發布會上，針對萬眾矚目的小米汽車SU7的各種亮點產品力進行了介紹。小米創辦人、董事長兼CEO雷軍在會上重磅發布了包括800V SiC技術在內的多項硬核技術。
隨著今天的產品發布會腳步越來越近，小米的各類供應商都被一一披露，今天我們重點帶大家關注一下小米汽車在動力部分的供應商情況，動力部分，小米SU7提供了單電機和雙電機兩種動力，其中雙電機版車型最大功率為 673 馬力，0-100km/h加速時間 2.78 秒，配備容量為 101kWh 的寧德時代三元鋰電池，CLTC 續航里程為 800km。單電機版車型最大功率 LTC 續航里程為 800km。單電機版車型最大功率 299 馬力，0-100km/h加速時間 5.28 秒，配備容量為 73.6kWh 的弗迪磷酸鐵鋰電池，CLTC 續航里程為668km。
電驅方面，根據小米此前的信息披露，小米SU7的400V平臺兩驅版搭載的是聯合汽車電子的SiC電驅，后驅水冷永磁電機（TZ220XS102），而800V四驅版搭載的是匯川聯合動力的SiC電驅，前油冷異步電機（YS210XY102），后油冷永磁電機（TZ220XY102），峰值轉速21000RPM；
這與蓋世汽車發布的小米SU7的供應商信息一致，那么這里面的碳化硅應用情況如何呢？
小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產品。
小米SU7單電機版，400V電壓平臺的電驅供應商為聯合汽車電子，其中搭載了來自博世的碳化硅芯片，根據調研：其中搭載了博世第二代750V，6毫歐的芯片產品。
根據博世的技術人員介紹，博世第二代750V碳化硅產品將改進體二極管以提高開關速度，在切換速度不變的前提下，減少了50%的dv/dt；實現單位面積Rdson 30%的縮減。這款被搭載在小米SU7上的碳化硅芯片的高溫表現良好，175攝氏度高溫系數達1.45，完全可以媲美國際大廠的最優一代平面型產品。
博世的碳化硅產品采用了獨特的雙通道溝槽柵極技術。與平面型和單通道溝槽柵極技術相比，博世的雙通道溝槽柵極技術使產品在相同的芯片面積下具有更低的導通電阻，在功率相同的情況下，芯片所需面積更小，因此對于芯片產出與成本控制都有明顯優勢。此外還可支持更高的結溫耐受，支持最高200℃的溫度下連續運行。
受益于大陸市場的強勁需求，博世近年來也堅定在碳化硅方面的投入，產能擴張方面也相對積極。五年前，博世決定首先在Reutlingen建立自己的碳化硅芯片生產廠。2021年，博世將再次擴大了這一生產設施。去年，博世又將生產基地的規模擴大了一倍。近期，博世以15億美元收購了美國一家現有的芯片工廠。目前，該工廠正在全面轉產碳化硅。公司的目標是在2026年交付第一批在美國生產的碳化硅芯片。
此外，在對8英寸的晶圓量產節奏上，博世也做出了規劃，根據博世集團董事會主席史蒂凡·哈通博士披露，從2026年開始，博世計劃在具備高成本效益的200毫米晶圓上制造首批溝槽結構的碳化硅芯片。
小米SU7雙電機版，800V電壓平臺的電驅供應商為匯川聯合動力，其中搭載了來自英飛凌的碳化硅模組和芯片產品。
早在2022年底，英飛凌科技就推出了采用CoolSiC? MOSFET技術的全新車規功率模塊— HybridPACK? Drive CoolSiC?，該款產品具有1200 V阻斷電壓、且適用于電動汽車牽引逆變器的全橋模塊。
采用搭載來自英飛凌自己的CoolSiC溝槽柵MOSFET技術，適用于高功率密度和高性能的應用場景。進一步提高了逆變器的效率，實現更高的續航里程并降低電池成本，適用于800 V電池系統及更高電池容量的電動汽車。
與剛剛上文介紹的博世芯片一致，英飛凌的CoolSiC MOSFET也采用的是溝槽結構設計。英飛凌表示，與平面結構技術相比，溝槽柵結構可實現更高的單元密度，從而產生最佳的品質因素。因此，溝槽柵MOSFET可以在較低的柵極氧化物場強下工作，從而提高可靠性。
同樣的，英飛凌也看到了汽車市場巨大的碳化硅應用機會，正在積極布局碳化硅的產能。此前英飛凌就公布了公司已投資50億歐元在馬來西亞新建一家碳化硅工廠。英飛凌稱，這將是全球最大的碳化硅工廠。英飛凌首席執行官Jochen Hanebeck預計，到2030年，碳化硅市場的價值將達到70億歐元，其中約一半將來自汽車行業。
值得一提的是，碳化硅產品在小米SU7中的應用不止主驅逆變環節，根InSemi調研信息顯示，小米SU7的400V及800V平臺中均搭載了華域三電的熱管理EDC產品，其中壓縮機控制器部分的供應均來自國內企業致瞻科技。
致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽車400V、800V、1000V平臺上成熟量產基于碳化硅方案的空調壓縮機控制器的供應商。2023年11月，致瞻科技第20000臺乘用車碳化硅電動壓縮機控制器已成功下線。
在早前我們的文章中曾介紹到，針對純電動汽車，尤其是針對800V電壓平臺，電動空調壓縮機控制器的首選方案將是SiC方案，在全系800V高壓平臺下，電動壓縮機部件采用SiC技術，可以更好地解決高壓、高轉速所帶來的開關損耗瓶頸，進而減小壓縮機體積和重量、降低壓縮機的噪音、最大程度降低能耗。
致瞻科技官網信息顯示，新能源汽車熱管理系統通過空調壓縮機實現熱量的運轉，壓縮機驅動系統消耗大量電力，尤其在夏、冬兩季。致瞻科技推出全SiC空調壓縮機控制器，相比傳統硅基控制器，驅動器電量損耗可降低70%，并滿足800V電氣系統架構。
在芯片選擇上，致瞻與Wolfspped有深度合作，除此之外今年1月18日，宣布與意法半導體達成合作，意法半導體為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供其第三代SiC MOSFET技術。
ST當前將中國市場戰略作為重中之重，在此前接受行業媒體采訪中，ST表示為了滿足中國新能源汽車市場快速增長的碳化硅需求，正在快速擴大寬禁帶器件產能。公司位于意大利卡塔尼亞新的全工序碳化硅襯底制造廠正在建設中，預計 2024 年開始投產。
2023 年 6 月，ST還宣布與國內碳化硅企業三安光電成立合資公司，在中國量產8英寸碳化硅器件。該合資公司也將支持中國汽車電動化發展，滿足市場對意法半導體碳化硅器件不斷增長的需求。
產品迭代方面，公司第四代SiC MOSFET技術將于2024年量產，以增強ST在性能和成本方面的競爭力。
小米SU7是小米首款量產車型，融合了當前最先進的各項技術，很高興我們在小米SU7中看到新能源汽車含“SiC”量迅速攀升，如果按照晶圓面積計算一下小米汽車對碳化硅晶圓的消耗量，基本可以視為每3-4輛小米汽車就要消耗掉一片6英寸的碳化硅晶圓。
從產業鏈角度看，當前國內擁有最完善的碳化硅產業鏈，最具優勢的碳化硅襯底、外延材料成本，以及最大的應用市場。碳化硅產業鏈的未來增長確定性極高。期待國內晶圓制造短板快速補齊，早日將碳化硅的市場蛋糕越做越大！
